电子材料

日立金属开发出新型磁芯材料

日立金属公司开发出了高频特性出色的锰锌（Mn-Zn）类铁氧体磁芯材料“ML95S”和“ML90S”。新材料在几兆赫兹高频范围内的磁芯损耗较小，可使网络设备、汽车以及智能手机配备的部件实现小型化和节能化。

此前也有过在0.5～5MHz的高频范围采用镍锌（Ni-Zn）类铁氧体材料的讨论，日立金属此次通过组合使用粉末控制技术和热处理技术，实现了与Ni-Zn类铁氧体材料相比饱和磁通密度更高、磁芯损耗更小的Mn-Zn类铁氧体材料。这种材料在接近实际使用的高温环境下（80～100℃）的磁芯损耗较小，因此可以抑制功耗和发热量。采用该材料后，可使变压器和电感器支持高频化和大电流化，实现网络设备的小型化和节能化。今后，日立金属还计划把这款材料用于汽车电装部件和便携终端。

ML95S在500kHz～2MHz的频率范围内，尤其是在50mT以上的高磁通密度范围内驱动时，损耗较小。比如，在频率为1MHz、磁通密度为75mT（100℃）时，ML95S的磁芯损耗仅为原产品“MB28D”的1/3左右。ML90S在1MHz～5MHz的频率范围内，尤其在50mT以下的磁通密度范围内驱动时，损耗较小。当频率为2MHz、磁通密度为50mT（100℃）时，其磁芯损耗约为MB28D的1/5。

日立金属将在日立Ferrite电子公司总部和日立金属（香港）有限公司广东番禺工厂生产这种新材料。（中国电子元件行业协会）

名古屋大学开发出可在150℃下稳定工作的双电层电容器

双电层电容器一般采用水类或有机物类电解液作为电解质。因此，工作温度必然被限制在电解液沸点以下的80℃。此次，日比野教授的研究小组采用了一种高耐热性离子导电陶瓷——焦磷酸亚锡作为电解质。焦磷酸亚锡的导电率超过0.01s/cm，因此可在从室温到200℃的大温度范围内高速传导氢离子。另外，这种材料还可承受约2V的电压。研究人员将焦磷酸亚锡与市售的聚合物混合、轧延，制成了薄膜状电解质。

用这种电解质试制的电容器进行充放电试验，获得了在150℃的工作温度下稳定充放电7 000次的结果。日比野表示，“改良品的质量能量密度提高到了 60Wh/kg左右，超过了铅蓄电池”。这项研究是与名古屋工业大学研究生院工学研究科教授川崎晋司共同开展的。实际上，这种焦磷酸亚锡的用途不仅限于电容器。日比野等人还准备将其应用于燃料电池，目标是以“Rechargeable Fuel Cell（RFC）”方式实现“不需要氢燃料罐的燃料电池车”。电解质层采用焦磷酸亚锡，负极采用通过表面处理可以储存氢气的碳。通过在碳表面添加氧化还原活性物，使其能够吸附和释放氢气。研究小组已制成了燃料电池。试制品的质量能量密度为107Wh/g。（中国电子元件行业协会）

美国AVX公司推出新型高压开关电源电容器

美国AVX公司推出无铅化的RV系列高压、双列直插式堆叠开关电源电容器，可用于功率转换和调节、马达和马达驱动器以及医疗光谱测定等领域。该系列产品的电压从1000～5000V不等，电容值范围从100pF～15μF，该RV系列功率电子器件具有较低的等效串联电阻和等效串联电感，很小的自留泄漏电流，可通过较大电流，高频特性好，电容随频率变化小。RV系列产品有3种电介质（C0G、N1500以及X7R）、6种尺寸、从0.30～1.65mm共5种最大高度，适用于各种高压应用场合。

该系列电容产品适用于光谱仪、超声器、CT以及核磁共振等仪器电源中交直流转换器的交流输入线，也可以用于发射器和模数转换器等高压信号放大器的换能器件。而且，多种无铅RV电容产品也能在高压开关电源中用于输入输出滤波和大容量储能电容器、隔直电容器，在交流马达驱动逆变器和直流交流驱动逆变器中作为直流连接电容器，在直流变换器和交直流变换器中作为功率调节电容器，在交流感应马达中作为启动与运行电容器。（中国电子元件行业协会）

TE Connectivity推出MHPTAM系列锂电池热保护器件

日前，TE Connectivity旗下业务部门TE电路保护部推出MHPTAM系列器件，帮助大容量锂聚合物和柱状电池供电的超薄笔记本电脑和其他便携式消费电子产品满足日益严格的安全标准。MHP-TAM系列器件具有超低侧高（5.8mm×3.85mm×1.15mm）封装和高额定电压（9VDC）特性，并且提供2种不同的载流容量和多种截止额定温度选择，能够帮助设计人员满足严苛的消费电子产品峰值电流需求，是节省空间的热关断（thermal cutoff，TCO）解决方案。MHP-TAM器件使用金属混合聚合物正温度系数（metal hybrid PPTC，MHP）技术，采用并联方式连接一个PPTC器件和一个双金属片保护器。在电池应用中，MHP-TAM器件帮助提供可重置的过热保护，在侦测到故障时关断电池，并在故障消除时重置。MHP-TAM系列器件具有（范围为72～90℃典型值）的不同打开温度，适合电池市场。它们还提供2种保持电流水平：低电流（在25℃下大约为6A）和大电流（在25℃下大约为15A）。（电子产品世界）

美国能源部宣布将投入2 000万美元开发“下一代电机”先进组件

近日，美国能源部网站披露，美国能源部计划投资2 000万美元用于支持开发高速工业级电机及驱动器，新型电机将采用高功率密度设计和集成电力电子技术来提高其效率。

工业部门的用电量超过美国发电总量的1/4，预计截至2040年，用电量还将增加约30%。因此，利用下一代电机替代效率较低的恒速电机及使用变速直驱电机系统的齿轮箱，并结合近年来电力电子技术的发展，如宽带隙（WBG）半导体，将有助于工业部门节约能源成本、提高竞争力。WBG组件可用于控制或将电能转换为可用功率，能够工作在更高的温度、电压和频率条件下，而且比硅系组件更加耐用、可靠。事实上，WBG系统电子相关产品的广泛使用将节约2%～4%的工业用电及数十亿美元。

能源部计划通过下一代电机（兆瓦级电机资助机会）计划选择4～6个项目，对WBG变速驱动器的优点进行演示验证。能源部期望通过这些项目在化学及石油冶炼行业、天然气基础设施及一般工业压缩机（如HVAC系统、制冷和污水泵）的应用，减少30%的系统损失和50%的体积。所选项目组将开发的集成电机驱动系统部件包括：前端功率处理单元；基于WBG半导体的中等电压等级变速驱动器；可直接驱动工业负载的高速电机。（中国航空工业发展研究中心）

Synaptics发布厚度1mm的全新触控传感器

Synaptics公司日前宣布，推出用于超薄型笔记本电脑和2合1平板电脑玻璃盖板的新一代ForecePad解决方案。通过采用最新传感器技术、用可选先进触摸功能检测手指触力，Synaptics ForcePad5.0解决方案提供厚度不到1mm的最新全功能触控板传感器，可用来实现10mm或更薄的笔记本电脑设计。

Synaptics ForcePad5.0用固态触力传感器取代了机械点击式传感器，其厚度仅为1mm，显著薄于、轻于以前各代产品，因此与以前使用ClickPad时相比，领先设备制造商现在能够开发出更薄、更轻的笔记本电脑设计。（Synaptics公司）

美国科学家发现超高电子迁移率Wigner晶体

科学家不断试着实现诺贝尔物理学奖得主尤金·维格纳的梦想，最近终于发现如何在硅晶封装的量子阱底部产生纯电子的结晶晶格。研究人员所取得的这种物质据称可实现比石墨稀更高200倍以及比晶矽更高170倍的电子迁移率。

截至目前为止，这项研究工作还处于基础物理的程度，但如果研究人员持续在这方面取得进展，预期将可以为半导体领域开启重要应用之门。

“我们还没有为实际应用做好准备，目前这还只是基础科学。我们致力于寻找在1934年理论上所预测及其后追寻的量子Wigner晶体。利用这些新研发的样本，我们应该能够‘是或否’的问题，”美国东北大学（NortheasternUniversity）教授SergeyKravchenko表示。

根据研究人员描述这项研究，由于原子并不受到量子阱的限制，但电子则相反。因此，这项研究有效地建造出一种电子“气体”，使其粒子可在室内环境中像分子一样正常地弹跳。然而，在适当的条件下，即电子气体结晶成为晶格，实现240万cm2/Vs的电子迁移率；相形之下，石墨稀的电子迁移率约为1万cm2/Vs，而硅的电子迁移率为140cm2/Vs。（中国半导体行业协会）

TI发布业内首款80V半桥GaN FET模块

近日，德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线（QFN）封装内的一个高频驱动器和2个采用半桥配置的GaN FET组成，使之非常易于设计。

全新的LMG5200 GaN FET功率级原型机将有助于加快下一代GaN电源转换解决方案的市场化，此方案为空间有限且高频的工业应用和电信应用提供更高的功率密度和效率。

TI高压电源解决方案业务部副总裁Steve Lambouses表示：“过去基于GaN的电源设计面对的一大挑战是与驱动GaN FET有关的不确定性，以及由封装方式和设计布局布线所导致的寄生效应。我们将采用先进、易于设计封装的经优化集成模块、驱动器和高频控制器，组成的完整、可靠电源转换生态系统，从而使设计人员可以充分实现GaN技术在电源应用方面的全部潜能。”（中国半导体行业协会集成电路设计分会）

英飞凌将与松下电器联袂推出GaN功率器件

日前，英飞凌科技股份公司和松下电器公司共同宣布，2家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式（增强型）硅基板氮化镓（GaN）晶体管结构，与英飞凌的表贴（SMD）封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，2家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从2条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合。双方商定不披露任何其他合同细节。

IHS发布的市场研究报告显示，与硅基板GaN技术相关的功率半导体市场，将以高达50%以上的复合年增长率（CAGR）增长，也就是说，到2023年，其市场容量将从2014年的1 500万美元增至8亿美元。

英飞凌科技股份公司电源管理及多元化市场事业部总裁Andreas Urschitz表示：“英飞凌致力于为客户提供各式各样、出类拔萃的产品和技术组合，包括可靠的GaN功率器件。我们坚信，增强模式硅基板GaN开关器件，结合我们相应的驱动器和优化驱动方案，将为客户创造价值，同时，这种双重货源概念将帮助客户管理和稳定其供应链。”（电子产品世界）

美光“超级”存储新品启动下一代汽车系统

美光科技有限公司日前宣布推出超可靠、超快速和适用于超高温环境的并行NOR闪存和低功耗DDR4（LPDDR4）DRAM，以满足汽车行业对于存储设备越来越高的要求。美光G18 NOR系列产品提供了业界性能最卓越的并行NOR，而汽车级LPDDR4解决方案更是业界首创。

这些新品满足了汽车应用对于超高速数据传输的要求。美光G18系列产品所具有的卓越性能（266MB/s）让高密度应用实现了更快速的启动和代码执行，而LPDDR4的峰值带宽比DDR4高出33%。此外，这些解决方案具有长期可靠性，均通过了ISO/ TS认证——G18系列的通量速度比quad SPI NOR快3倍，而LPDDR4产品额外进行了封装级老化测试。超凡的温度适应范围表现也是此次新推出产品的一大亮点——G18 NOR产品提供工业级温度（IT）范围（-40～85℃）和汽车级（AAT）温度范围（-40～105℃）选择；LPDDR4产品提供汽车级工业温度（AIT）范围（- 40～95℃）选择，并计划于2016年提供业界最高的工作温度范围选择——汽车级超高温度（AUT）范围（-40～125℃）。（中国半导体行业协会）

我国预计2015年向芯片业投资200亿元

华芯投资总裁路军近期透露，国家集成电路基金将于2015年在半导体芯片领域投资200亿元，希望借奠定中国集成电路产业链和建设产业生态的基础。

路军未透露更为具体的投资目标，但是他表示，国家集成电路基金会重点投资芯片制造企业，也会兼顾芯片设计、封装测试、材料及应用等芯片产业链上的公司。国家集成电路基金会针对芯片行业开展长期大额的投资，并且这只基金将会做产业的长期投资者。

据了解，国家集成电路基金在未来的投资中将优先考虑股权投资，也会参与国内芯片行业的投资、并购和整合。未来，还有可能够拿出一部分资金投资一些优秀的创业团队，或者参与地方政府的集成电路基金。

自2014年9月正式成立以来，国家集成电路产业投资基金频频出手，在芯片行内进行了一系列投资，其中包括31亿港元参与中芯国际的增发、向紫光集团投资100亿元、参与A股企业长电科技的收购案等。国家集成电路基金采取公司制形式，该基金按照风险投资的方式进行运作，会择机退出所投资的项目。（中国半导体行业协会）

我国设计的世界最高密度固态硬盘实现产业化

日前，杭州电子科技大学微电子研究中心主任骆建军教授和楚传仁教授带领的研究小组在电脑硬盘方面取得新突破，多年前设计成功的我国第一颗固态硬盘控制器芯片，目前已实现了产业化。

固态硬盘是目前半导体技术的发展热点，平板电脑、智能手机、云存储都依赖于固态硬盘的发展，它将成为信息产业的核心支柱之一。据悉，骆建军和楚传仁的研究团队成功掌握了固态硬盘的核心技术，提出全新的eRAID阵列概念，并设计出固态硬盘（SSD）控制器芯片驱动eMMC模块阵列，使得固态硬盘密度提高了5倍，达到全球业界第一。在产业化方面，已由华澜微科技有限公司实现了产业化，并已经批量产出2.5英寸标准尺寸SSD盘（单块电路板2.5TB）。

据悉，固态硬盘因为体积小、质量轻、功耗小，尤其是抗震性好、速度快，成为军事装备、航空航天、移动设备的优选数据存储载体。骆建军教授带领的团队开发出的中国自主知识产权的固态硬盘芯片，打破了依赖国外的被动局面，达到了我国在信息存储方面的自主、可控的要求，对我国信息安全做出了基础性的重大贡献。（人民网）

中科院海西研究院破“光芯片”核心技术

2014年底，中国科学院海西研究院通过筹建预验收。瞄准国际科学前沿的原创成果基地、产业技术源头创新基地等重要平台，海西研究院加强原创前沿基础研究，探索科技成果转化模式，下设福建物质结构研究所、海西材料工程研究所等5个非法人研究所和2个中心，形成开放的“前沿科学—变革技术—产业示范”三者互动的科技创新价值链。研究院筹建以来，已承担了近500项国家和地方项目，科研经费达7亿多元，为地方产业提供成果或技术转移50多项。

研究院从源头上突破了“光芯片”制备的核心技术，解决了我国光纤入户“最后一公里”技术瓶颈，通过“人才团队+项目+成果”的成果转化模式创新，组建了中国首家半导体激光器和探测器生产企业——中科光芯，其生产的“光芯片”产品填补了我国三网融合中核心器件产业的空白，服务于“宽带中国”战略实施。

不仅如此，该研究院还开发出替代传统荧光粉、具有国际领先水平的透明陶瓷荧光体及其封装等系列集成技术，实现了LED产品的高光效、高可靠性、低成本；培育出国际首家规模化生产LED透明陶瓷荧光体及光源的高科技企业——中科芯源，使我国LED企业具备与欧司朗、飞利浦等国际知名企业竞争的技术优势。（中国科学院）

华为携手恩智浦半导体共同拓展工业4.0市场

华为技术公司与恩智浦半导体在日前德国汉诺威CeBIT 2015（汉诺威消费电子、信息及通信博览会）会场举行的工业4.0圆桌会议上决定携手共同开拓工业4.0中国与全球市场，深入开展技术合作与联合创新，打造开放、健壮与安全的工业4.0ICT（信息和通信技术）平台。该项共同决定标志着华为技术公司与恩智浦半导体合作的一个崭新里程碑。

工业4.0意味着将人、信息、物体相连接，机器进入到统一的智能化网络中，预计该技术可以自动调试生产流程、节奏，自动地修复故障，以更智能、更个性化的方式制造产品。作为双方深化合作伙伴关系的一部分，华为和恩智浦将在物理层、网络层以及网络安全等领域进行深入合作，结合双方的优势产品与解决方案，将华为的ICT基础设施和连接解决方案与恩智浦半导体的工业4.0安全连接解决方案充分结合，聚焦自动化工厂、物流4.0、无线安全连接与传感器网络等工业4.0应用领域，共同致力为大中国区及全球客户提供业界领先的工业4.0网络解决方案并给客户带来持续的价值。

IHS预测到2025年，工业4.0的兴起将导致超过800亿设备接入互联网。中国也计划在未来3年投资1.2万亿欧元进行工业的现代化和转型，将中国从制造大国转变为制造强国。（中国半导体行业协会）